国产闪存迎头赶上 238层NAND闪存芯片诞生!

时间:2022-08-03 14:11:36       来源:快科技

SK海力士(SK Hynix)官方发布消息称,已经开发出238层NAND闪存芯片,它可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货232层NAND闪存芯片。

SK海力士宣称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升50%,读取数据消耗的能量降低21%。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。

Intel NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm,它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%,仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。

国际巨头你追我赶,国产闪存也没停下。长江存储目前的最新量产闪存是128层,之前有消息称已经试产192层,但也有说法称又跳过了192层而直接切入232层。

但何时量产尚无明确时间表,有说法称今年底就可以,还有的说快则2023年底慢则2024年。

关键词: 智能手机 存储设备 闪存芯片 传输速度